ZN-165-13高温真空热处理炉

ZN-165-13高温真空热处理炉主要指标：

1.高温度：1300℃

2.极限真空度：6.67×10-4Pa

3.压升率：≤0.1Pa/小时（远高于国家指标）

4.炉温均匀性：±5℃

5.加热元件：钼

6.保温层：钼及不锈钢金属反射层

ZN-165-13高温真空热处理炉

详细描述：

产品用途及特点：

该炉为卧式炉结构，适用于大型钢件或不锈钢等在高温下进行高真空热处理或高真空钎焊处理。

具有极限真空度高、漏气率极低、炉温均匀性佳等特点。

ZM-8-16高温真空热处理炉

ZM-25-16高温真空热处理炉

ZM-36-10高温真空热处理炉

ZM-40-16高温真空热处理炉

ZM-42-15高温真空热处理炉

ZM-45-16高温真空热处理炉

ZM-66-12高温真空热处理炉

ZM-78-12高温真空热处理炉

设备用途：

本设备适用于金属材料（如纯铁等软磁材料）的真空退火，也适用于金属粉未的真空或保护气氛烧结。同时也适用于晶体材料的脱气或退火处理。

设备简介：

采用立式结构，钼丝或镍铬丝为加热元件，全金属隔热反射屏保温。由于本公司的隔热屏具有du创性结构，高温长期使用变形小，长的用户己连续使用近七年未更换过，大大节省了生产成本或维修费用。

主要技术参数：

ZR75-11外热式真空电阻炉

详细描述:

本设备为外热式真空电阻炉，炉罐抽真空，被处理工件放置在炉罐内，加热元件及炉衬在空气中，具有结构紧凑，价格较低等特点。

主要用于：磁性材料，高温合金，电子器件，金属材料等在真空或保护气氛下进行热处理，可达到光亮处理的目的。

ZR-54-6真空除气炉

产品参数：

1.额定功率：54KW

2.工作区尺寸：800*800*40料盘20个

3.工作温度：600℃

4.极限真空度：10-3Pa

采用箱式炉结构，炉内设有炉罐，真空系统为油扩散泵及机械泵。

设有快速冷却装置，提高工作效率。

详细描述：

适用于金属材料的高真空除气或低温回火。

ZW-145-18大尺寸真空钨丝炉

详细说明：

本设备为钟罩式结构，钨网发热，炉内料台固定，发热体及隔热屏随炉体升降。采用顶、底及圆周六面加热， 分三区控温。温度均匀性佳，配有进口分子泵及国际真空阀门，全不锈钢炉壳，gao端产品。

主要参数：

额定功率：145KW

高温度：1800ºC

工作区尺寸：ø350*400

极限真空度：8*10-5Pa

压升率：0.2P a/小时

温度均匀性：±5ºC

RG-3-8硒化炉

详细描述：

此设备主要用于铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的硒化反应处理。

CIGS薄膜太阳能电池首先用磁控溅射制备出铜铟镓(CIG)薄膜预制层，然后在此设备中用固态硒源实现硒化处理，从而反应生成CIGS薄膜太阳能吸收层。

设备特点：

1、过滤器采用德国莱宝公司结构制作，吸附力强，便于取出清理和更换滤芯。

2、我公司采用国内的氦质谱真空检漏仪进行压升率检测，可保证技术指标的可信和准确，压升率指标接近或低于国标的小值。

主要技术参数：

1、额定功率：3 Kw±10%

2、额定温度：A区230 ℃、B区800 ℃

3、冷态极限真空度：6.67×10-3 Pa(在100℃温度以下允许抽真空)

4、压升率：2.0 Pa/h

5、工作区尺寸：Φ100×600 mm（直径×长）

6、控温区数：3区

7、保护气氛：氩气

9、充气压力：≤500 Pa

10、电源：三相  380V  50Hz

ZG-450D多晶硅铸锭炉

技术参数：

1.额定功率：200KW  

2.常用温度：1500℃，高温度：1600℃

3.冷态极限真空度：＜1Pa 

4.坩埚尺寸：870×870×420（L×W×H）mm

5、大铸锭重量:450Kg

6.移动隔热屏大位移量：380（mm）

7.移动隔热屏提升速度：5～100mm/h(可调)

详细描述：

设备用途：本设备采用电阻加热方式，底部进出料结构。一次装入多达450Kg/500kg（视坩埚尺寸而定）多晶硅原料，用于多晶硅料的铸锭。

设备特点：

1、炉底设有防漏硅装置及防爆装置；

2、温度梯度好，拉出硅棒效果好，杂质少；

3、炉底升降采用机械传动机构，定向结晶通过炉内升降机构，伺服机构保温罩升降平稳，操作方便；

4、一种带可升降式保温罩的多晶硅铸锭炉；一种带水冷式双电极和软电缆的多晶硅炉；

90kg多晶硅铸锭提纯炉ZG-90

设备特点：

本设备为立式结构，具有高真空、充气及高温熔化定向凝固等功能，是多晶硅原料熔化及成锭的优选设备，在添加等到离子加热源后可满足部分提纯要求。设备具有自动控温、快速升温冷却、快速升降取锭、超压保护等功能，同时设有操作平台方便操作及维护。

技术参数：

实验用8kg多晶硅铸锭炉ZT-40-16D

研发背景：

应某大学硅材料国家重点实验室要求，本公司新研发了一台小型实验室专用多晶硅铸锭炉，此设备具有如下特点：

1.具有当今市场主流铸锭炉的一切功能，包括实现全自动运行。

2.具有生产周期短，能耗低，实验成本节约的特点。

3.增加了部分新功能，除铸锭以外，还实现部分提纯功能。

技术参数：

1.功率：40KW

2.坩埚容量：标准10英寸

3.高温度：1550度

4.极限真空度：10-1Pa

5.保温罩上移距离：200mm

6.炉底大位移：800mm

7.进出料方式：炉底进出

8.加热元件：石墨管加热

9.保护功能：除了超压自动泄压、漏硅声光报警、更有国ji先进的漏硅保护措施，确保操作安全。

10.常用温度：1550℃

11.高温度：1600℃

12．控制方式：可控硅调功+大电流变压器

13．控温精度：±3℃

14．石英坩埚尺寸：198×198×200mm(L×W×H)

15．铸锭重量：2-8KG

16．保温桶大位移：200mm

17．空炉冷态极限真空度：≤6.67×10-1Pa

18．保温层移动速度：0.5-25mm /小时(可调)

19. 空炉冷态压升率：≤2 Pa/h

ZT-180-16石墨化炉

设备主要用途：

主要用于多晶硅生产线中后处理设备，系为还原炉石墨电极后处理之用，当石墨电极经酸洗、高温烘干后残余水气、氯化盐等需经高温真空煅烧并由载气排出炉外。设备分顶部装料及底部装料二种炉型供选购，配有ＰＬＣ及人机界面可实现全自动运行。底装料由于其操作方便，脱气功能强更受欢迎。一炉大装载量：350套石墨电极。

主要技术参数：

1. 额定功率：120KW，180KW

2. 工作区尺寸：Φ500×550（石墨管加热）

       Φ800×550（石墨棒加热）

3. 高温度：1650℃

4.极限真空度：6*10-3Pa

5.保护气氛：氩气或氮气

6.大装载量：350套石墨电极

7.生产周期：50小时/炉

结构说明：

由炉盖、炉体、炉底、炉架及平台、真空系统及电控系统等组成。

特点：炉内安装纯化石墨，2000度处理的石墨毡等组成保温层。

全自动生产模式，长寿命热电偶控温，多点监视温度，底装式方式操作方便，上炉盖也能打开，维修方便。 

ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-900B单晶硅炉

ZTD-950B单晶硅炉

技术参数：

设备用途：

本设备为生产太阳能电池用的单晶炉，坩埚尺寸18-22英寸，产量从60-130Kg，单晶硅棒直径6.5-8英寸，设备高度为6.1-6.7米，主要可生产主流8英寸单晶硅棒。

本公司可提供生长工艺，保证生长出合格的单晶硅。设有样机，欢迎来人参观考察。

ZR-12-10实验用中温真空炉

详细描述：

采用箱式炉结构炉柜一体化设计，适用高校科研单位进行材料的真空或保护气氛下的热处理，炉内设有一耐热钢炉罐，罐内安装有料台及保温层。

主要参数如下：

1.额定功率：12kw

2.炉罐内尺寸：160*250*400mm

3.高温度：1000度

4.极限真空度：＜10Pa

ZR-12-11真空电阻加热炉

设备用途：

本设备是用镍铬合金丝作发热元件的实验用内热式真空热处理炉，炉体与控制柜一体化结构，卧式炉体，侧面打开炉门，适用于金属材料在高真空、中温条件下进行回火、退火、钎焊、烧结、除气处理，同时也适于金属化合物的真空热处理用。

设备特点：

整个设备为方形箱体结构，卧式炉体，装取料方便；所有动作操作均在炉体正面操作完成，操作方便，集控制柜与炉体一体化结构，占地小，节约占地面积；耗水量少，使用方便，用户只要水、电齐全就可以直接使用，集成安装水、电、气接口。

主要技术参数：

1、额定功率：12KW

2、额定使用温度：1100℃（气氛保护下）

3、大有效加热空间：Φ120×200㎜

4、冷态极限真空度：5×10-4 Pa

5、压升率：≤2.0 Pa/h

6、电源：380V/50Hz

7、充气介质：氩气、氮气或少量氢气

8、大充气压力：＜0.03MPa

9、控温精度：±1℃

ZT-50-16晶体退火炉

用途：

真空晶体退火炉是用石墨作发热元件的立式实验用真空电阻炉，炉底装料电动升降，供金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛中烧结制品。

技术参数：

1、型式：立式，底盘下沉

2、额定功率：50±10%Kw

3、电源电压：三相  380V  50Hz

4、高温度：1600℃

5、工作区尺寸：Φ300×300

6、升温速率：15℃/min

7、恒温区温度均匀性：≤±10℃（1400℃）

8、冷态极限真空度：6.67×10-3Pa

9、工作真空度（空炉）：5×10-2Pa

10、压升率：≤2Pa/h

11、1路充气管路，充气冷却

12、充气压力：＜0.03MPa（相对压力）

102L晶体回收炉

产品主要技术参数：

额定温度：300-1600℃

炉体形式：井式 二工位 （炉门电动丝杆升降及平移）

炉膛尺寸：450×450×500mm（深×宽×高）

炉膛容积：102L

额定功率：25.0KW

额定电压：380V/1Φ/50Hz(主电压)  220 V/1Φ/50Hz（控制电压）

升温时间：≤100min

加热元件：硅钼棒

炉膛材质：1700（温度等级）/300（密度）氧化铝纤维（日资阿尔赛）

保温材料：1500/250  1260/250氧化铝纤维（日资阿尔赛）

炉口炉门材料：TJM30标砖

温控形式：SCR(可控硅移相调压) 可编程序智能PID

控温精度：≤±1.0℃

GR周期式回转炉

详细描述：

本设备为周期作业式，主要用于化学催化剂粉体、陶瓷粉体、金属颗粒或粉料等在氧化或还原性气氛下进行焙烧。

主要技术特点：

1.额定功率：30-90KW

2.装料量：10-30Kg（按堆比重计算）

3.高温度：1000℃

4.炉罐回转速度：0-6转/分

5.炉体侧角：±30°可调

6.保护气氛：氢气或氮气

7.炉压：500Pa

结构说明：

电炉由炉体、回转炉罐、炉罐支承、炉罐回转机构、炉体倾斜机构、保护气氛装置、快速冷却机构等组成。

炉体由碳钢焊接制成，内衬保温层、发热元件采用电阻丝，布置在炉罐周围，加热温度均匀。

回转炉罐由耐高温不锈钢310S焊接而成，一侧进出料，另一侧充入保护气氛，进料侧还兼排气。

炉罐支架为前后双结构，设有固定结构。

炉罐回转机构：炉罐回转采用减速机+调速电机

炉体倾斜机构：采用蜗轮减速机构

保护气氛装置：由流量计、进气阀、旋转出气阀等组成。

电控系统主回路采用SSR执行，进口仪表炉温控制。

RT台车式电阻炉

详细描述： 

适用于热处理淬火、退火及回火。

台车式进出，装卸料方便。

重型装备设计，使用寿命长。

新型复合结构，节能效果明显。

升降式台车炉

详细描述：

本产品在传统台车式电炉的基础上进行了改进，提高了炉温均匀度。

高温度：1200℃（1300℃硅棒加热）

工作区尺寸：可按要求定制

温度均匀度：±10℃

台车的升降：机械电动升降

台车的进出：电机经减速驱动

炉衬材料：日本品牌纯纤维棉制成，节能保温性佳，寿命长

控温区：三区

RX-30-7Q保护气氛箱式炉（低温）

用途：

本产品为周期作业式电炉，产品从炉底装料，供一般金属或其它材料在保护气氛中进行低温热处理加热之用，本设备具有内循环快冷，因此可满足某种功能材料的热处理。

主要技术参数：

1.额定功率：30KW

2.电压：380V

3.高温度：700℃

4.炉温均匀性：±5℃

5.工作区尺寸：Φ450×600×450

6.大装裁量：50Kg

7.充气压力：0.06MPa

8.冷却速度（300℃-80℃）：小于2小时

结构说明：

电炉采用箱式炉结构主义，炉内放置一炉罐，为保证炉温均匀，特设有一循环风机及导风系统，在炉罐后侧还设有一热交换器，在降温过程中能提高冷却速度。为了进一步加快炉体冷却，炉底还设有一冷却风机，炉底设有排风系统，能在设定温度时打开炉体冷却风机将炉衬的热量尽快排出炉体。

本设备具有结构紧凑，外形美观，操作简便等优点。设备所有动作均由PLC自动控制来实现。

温度控制主电路采用可控硅模块SSR控制，控温仪表采用美国进口数显程序调节仪，SSR输出、P.I.D控制，炉罐内设监控热电偶及配套仪表。

RXQ保护气氛密封箱式电阻炉

设备用途：

本产品主要供大专院校、科研单位及生产企业在保护气氛条件下对金属材料（如不锈钢、镍基合金、铜、合金钢)进行无氧化热处理，也可进行部分化学热处理。

主要技术参数：

1.电源功率：15KW

2.额定电压：380V

3.高温度：950℃

4.工作区尺寸：200×250×500

5.炉温均匀性：±10℃

6.充入保护气氛：氮气

结构说明：

本产品由炉体、炉门、炉罐、充气系统、及控制系统等组成。

炉体为箱式电阻炉结构，炉门采用手动打开及压紧装置。

炉罐为Cr25Ni20材料制成，特殊结构可防止高温变形。

充气系统采用炉后进气，炉前排气。

电控系统为可控硅SSR控制，炉内设多点测温，通过一台仪表可监测多点温度，实现炉温均匀性的动态观察。进口仪表控温精度高。

气氛保护回转窑

详细描述：

主要用于金属粉体材料在保护气氛的回转锻烧之用。

主要技术参数：

1、额定温度：1000度

2、工作区尺寸:220*2000mm

3、充气介质：氩气

4、加热区： 1区

5、充气压力：1000Pa

GR-200-3周期式气氛保护回转窑

主要用途：

主要适用于化工行业催化剂载体氧化性处理。设备为周期式工作方式。

设备特点：

1、炉衬采用优质的全纤维节能结构，使炉体的能耗大幅降低，保温性能好。

2、发热元件采用管状加热器，安装维护方便，可以在不停炉状态下更换发热体，不影响生产，提高产量。

3、炉管旋转平衡性佳：采用了先进的旋转支撑机构，保证了炉管旋转的平衡性。

4、使用寿命长：此炉设计安装了先进的平移机构，保证炉管在受热伸长下的使用寿命。

设备主要技术参数：

1、额定功率：200 kw

2、使用温度：350 ℃

3、有效加热工作尺寸：Ф1100×4300 ㎜

4、电源：3相、380V、50Hz

5、加热分区：4区单独控制

6、炉管回转速度: 1～6r/min

7、炉体倾斜角：1-15°（可调）

8、控温精度：±2℃

9、投料量：1000kg/d

RG-75-9Q保护气氛滚筒炉周期式

详细描述：

一、设备主要用途：本设备为周期作业式，主要用于化学催化剂粉体、锂电池原料、陶瓷粉体、金属颗粒或粉料等在氧化或还原性气氛下进行焙烧。

二、主要技术参数：

1、额定功率：75KW

2、额定温度：950 ℃

3、电源：三相380V 50Hz

4、有效装料尺寸 ф670×1130㎜（直径*高）

5、温控区：一区

6、控温精度：±1℃

7、空炉升温时间： 0-1.5h

8、装炉量：按比重1计算）

9、保护气氛：N2

大批量生产用气氛保护回转窑GR-400-9

设备用途：

适用于无机盐粉体材料，如磷酸铁锂、碳酸锂、碳酸锰、碳酸钡，金属粉体等在氧化性（如空气）

或还原性气氛（如氮氢混合气）下的焙烧反应，也适用于化工行业催化剂载体氧化性处理。

本公司可提供从实验到生产使用的各型号设备。

设备特点：

1、此设备采用国ji先进的柔性密封，在受热伸长及微量变形仍能保持良好的密封性，炉内气压可达2000Pa以上。

2、此设备可保证物料在保护气氛下进料、出料及焙烧，不与空气接触，从而保证了反应物料质量。

3、此设备前后采用了先进的旋转支撑机构，从而保证了炉管旋转的平衡性。

4、此设备设计安装了先进的平移机构，保证了炉管在受热伸长下的使用寿命。

5、此设备安全使用寿命长。

6、此设备为连续式炉，生产率高（生产率比其他同类产品高出一倍以上）。

7、配有PLC、触摸屏和专用监控软件，功能升级无极限；能显示当前的工作状态、温度等变化。

配有数据库及图形趋势显示分析软件。

充气压力自动控制，实现微正压气压自动控制烧结。

技术参数：

1、额定功率：400KW

2、额定温度：850 ℃

3、温控区：六区

4、炉管有效尺寸（内径×长度）：￠900×9000（mm）（36＂）

5、炉管转速度：1～6 r/min

6、炉体倾斜角：0～3°

7、气氛：空气/氮气

8、耗气量：20-30m3/h

9、产量：根据物料比重和停留时间而定

10、电源：380V 50HZ  三相四线制

TBR-180-9气氛保护推板窑

17米气氛保护推板窑－锂电正极材料专用设备TBR-180-9

用途：

本设备主要适用于新能源动力电池的粉体材料（如磷酸铁锂）在保护气氛下的焙烧处理

以及电子陶瓷元件（PTC、NTC）等的排胶、预烧、烧结及退火等生产工艺。

结构特点：

此设备具有无任何金属杂质污染，前后过渡室预抽真空、节能性能优异、自动化程度高、

氧含量低等特点，是国内大批量工业化生产的理想设备。

技术参数：

32米预抽真空气氛保护推板窑TBR-280-9

设备用途

本设备主要适用于新能源动力电池的粉体材料（如磷酸铁锂）在保护气氛下的焙烧处理以及电子陶瓷元件（PTC、NTC）等的排胶、预烧、烧结及退火等生产工艺。

此设备具有无金属杂质污染、节能性能优异、自动化程度高、氧含量低等特点，是国内大批量工业化生产的理想设备。

1、拒绝金属污染:加热元件采用套有保护套的电阻丝，有效避免电阻丝和物料的接触，也避免电阻丝被腐蚀产生的反应物污染物料。

2、采用预抽真空模式:采用机械泵抽真空缩短气室气氛建立的时间，有效降低氮气的消耗，同时大大增加设备产量。

3、设备能耗低：通过机械泵抽真空，快速抽取气室内空气，省去通过通入大量氮气排除气室内空气环节，有效降低氮气消耗。

4、物料一致性高：物料烧结时间一致，产品一致性高。

5、物料纯度高：通过使用料舟盛料，有效避免物料和金属的接触污染；加热元件套有石英玻璃保护管也避免加热元件接触污染物料。

主要技术参数：

1、大升温功率：280KW

2、使用温度：700-800℃  

3、控温精度：±2℃

4、表面温升：小于35℃

5、氧含量：≤10ppm

6、炉口尺寸：700×240㎜

7、推板尺寸：340×340×30㎜

8、推力：7T       

9、推进器：全自动循环线液压推进器

10、工作模式：预抽真空

11、氮气消耗：＜30m3/h

GR-220-8气氛保护回转窑

生产用-24英寸气氛保护回转窑GR-220-8

详细描述：

生产用气氛保护回转式电炉（回转窑）GR-220-8，￠610*6100MM（直径*长）

用途：

此回转窑主要适用于新能源动力电池的无机盐粉体材料（如磷酸铁锂、钴酸锂、碳酸锰、碳酸钡）、金属粉体等在保护气氛下进行焙烧反应处理。

结构特点：

此电炉设备有着变频调速螺旋式喂料口，国ji先进的密封系统，真空成形陶瓷纤维或优质耐火砖砌筑而成的保温层，进口控温仪多区独立控温的炉体，特种耐热钢制成的耐热耐腐蚀炉管以及西门子标准制作的电控系统组成。它是国内唯yi经过五年以上应用在锂电池粉末焙烧的生产线，也是目前国际上先进的磷酸铁锂电池正极材料的焙烧设备。

技术参数：

周期式回转窑RG-30-9Q

主要技术参数：

1、额定功率：30KW

2、额定温度：950 ℃

3、电源：三相380V 50Hz

4、有效装料尺寸：ф390×700㎜（直径*高）

5、控温区数：一区

6、控温精度：±2℃

7、空炉升温时间：≤2.0h

8、装炉量：12－20kg 根据物料比重计算

9、保护气氛：N2

10、外形尺寸：1900*2200*1750（宽*长*高） 

生产用-24英寸气氛保护回转窑

预抽真空保护气氛箱式炉WRX-30-10

主要技术参数：

1、额定功率：30 KW

2、高温度：1000 ℃

3、常用温度：900 ℃

4、电源：380V、50Hz、三相

5、有效装料区尺寸：300×600×300mm（宽×长×高）

6、炉温均匀性考核区：250×400×250mm（宽×长×高）

7、控温区数：一区

8、冷态极限真空度：133Pa（400℃以下允许抽真空）

9、炉温均匀性：≤±10℃（850℃以上）

10、保护气氛：惰性气体

11、外形尺寸：1400×2200×1300mm（宽×长×高）

12、总重量：∽2500Kg

真空保温箱

技术参数：

正常使用温度：300℃~350℃

恒温功率:～4KW

加热功率：18KW，220V单相

温度均匀性：≤±10℃

加热元件：不锈钢加热板

加热区数: 3区

内部承重：∽600Kg

设备用途：

本真空保温箱为钠硫电池模块的辅助装置，具有加热、保温、功率调节等功能，具有温度均匀性好、接线方便、，以保障钠硫电池模块的正常、安全运行。同时该真空保温箱还具有结构紧凑、使用方便、美观大方等特点。

中试用-气氛保护回转窑GR-75-9

主要技术参数：

1.高温度：1050℃

2.使用温度：950℃

3.使用气氛：氮气/空气

4.炉管尺寸φ310x3100（mm）

5.加热方式：镍铬合金丝加热

6.保温材料：陶瓷纤维；

7.温区数：3区

8. 炉管材料：SUS310S耐热不锈钢

9.炉管转速：1~6 r/min无级变频调速，由转动电机、减速机、齿轮传动装置、链条传动装置等构成，可实现自动和手动转换；

10.表面温升温：≤室温+35℃

11.大功率：75KW

12.保温功率：45KW

13.报警系统: 整窑设有过载、炉管停转、超温等报警保护功能；

14. 控制方式：PLC和触模屏

主要适用于电子材料，如钛酸钡、碳酸锶、碳酸坝、碳酸钙、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝，石墨类和钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、三元材料锂电池粉体材料等生产用设备；

磁性材料：NFC、镍梓铁氧体、锰锌铁氧体等生产用设备；

KY法晶体生长炉

30kg级晶体生长炉

详细描述：

凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,又称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedCrystal，又称籽晶棒)接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，后凝固成一整个单晶晶碇. 我司可提供30kg级、70kg级设备。

ZWJ高温晶体生长炉

详细描述：

此项目为高温氧化物晶体生长设备，为国内用户定制。炉体钟罩式升降，放置坩埚和维护热场。

底部坩埚升降，籽晶在坩埚底部，坩埚杆带水冷。

采用分子泵或油扩散泵，控制系统带有PLC和摸触屏。

ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-900B单晶硅炉

ZTD-950B单晶硅炉

设备用途:

本设备为生产太阳能电池用的单晶炉，坩埚尺寸18-22英寸，产量从60-130Kg，单晶硅棒直径6.5-8英寸，设备高度为6.1-6.7米，主要可生产主流8英寸单晶硅棒。

本公司可提供生长工艺，保证生长出合格的单晶硅。设有样机，欢迎来人参观考察。

技术参数:

ZW-50-20钨网烧结炉

主要技术参数：

1.额定功率：50KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：2000℃

4.工作区尺寸：Φ140*200

5.极限真空：8*10-4Pa

6.压升率：<3Pa/小时

7.保护气氛：氢气

8.加热区：一区

ZG-80真空熔炼炉

80kg真空熔炼炉ZG-80

主要技术参数：

1.额定功率：160KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：1700℃

4.冷态极限真空：5X10-3Pa

5.保护气氛：Ar

ZT-50-16Y真空热压炉

1.额定功率：50KW

2.额定温度：1600℃

3.工作区尺寸：Ø250×200

4.极限真空度：5X10-2Pa

5.Max.压力：35吨

6.大位移：双向各100mm

7.加压方式：双向

8.充气压力：0.015MPa

SPS-60T-30-Ⅲ烧结炉

主要技术参数：

型号：SPS-60T-30-Ⅲ

1.额定功率：300KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：  2300℃

4.输出电流：30000A

5.输出电压：10V

6.极限真空：5X10-2Pa

7.保护气氛：Ar

8.Max.压力：60T