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GR-75-9气氛保护回转窑

简要描述:GR-75-9气氛保护回转窑适用于电子材料,如钛酸钡、碳酸锶、碳酸坝、碳酸钙、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝,石墨类和钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、三元材料锂电池粉体材料等生产用设备;

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2021-11-05
  • 访  问  量:395

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详细介绍
品牌自营品牌产地类别国产
应用领域综合

GR-75-9气氛保护回转窑

中试用-气氛保护回转窑GR-75-9

主要技术参数:

1.高温度:1050℃

2.使用温度:950℃

3.使用气氛:氮气/空气

4.炉管尺寸φ310x3100(mm)

5.加热方式:镍铬合金丝加热

6.保温材料:陶瓷纤维;

7.温区数:3区

8. 炉管材料:SUS310S耐热不锈钢

9.炉管转速:1~6 r/min无级变频调速,由转动电机、减速机、齿轮传动装置、链条传动装置等构成,可实现自动和手动转换;

10.表面温升温:≤室温+35℃

11.大功率:75KW

12.保温功率:45KW

13.报警系统: 整窑设有过载、炉管停转、超温等报警保护功能;

14. 控制方式:PLC和触模屏

GR-75-9气氛保护回转窑适用于电子材料,如钛酸钡、碳酸锶、碳酸坝、碳酸钙、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝,石墨类和钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、三元材料锂电池粉体材料等生产用设备;

磁性材料:NFC、镍梓铁氧体、锰锌铁氧体等生产用设备;

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KY法晶体生长炉

30kg级晶体生长炉

详细描述:

凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,又称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似,先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤,再以单晶之晶种(SeedCrystal,又称籽晶棒)接触到熔汤表面,在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶,晶种以极缓慢的速度往上拉升,但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈,待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后,晶种便不再拉升,也没有作旋转,仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固,后凝固成一整个单晶晶碇. 我司可提供30kg级、70kg级设备。



ZWJ高温晶体生长炉

详细描述:

此项目为高温氧化物晶体生长设备,为国内用户定制。炉体钟罩式升降,放置坩埚和维护热场。

底部坩埚升降,籽晶在坩埚底部,坩埚杆带水冷。

采用分子泵或油扩散泵,控制系统带有PLC和摸触屏。



ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-900B单晶硅炉

ZTD-950B单晶硅炉

设备用途:

本设备为生产太阳能电池用的单晶炉,坩埚尺寸18-22英寸,产量从60-130Kg,单晶硅棒直径6.5-8英寸,设备高度为6.1-6.7米,主要可生产主流8英寸单晶硅棒。

本公司可提供生长工艺,保证生长出合格的单晶硅。设有样机,欢迎来人参观考察。

技术参数:

型号

名称

额定功率

额定温度

主炉室尺寸

熔料重量

ZTD-800B

单晶硅炉

140KW

1600℃

800×1050mm

60KG







ZTD-900B

单晶硅炉

160KW

1600℃

900×1050mm

90KG







ZTD-950B

单晶硅炉

180KW

1600℃

950×1050mm

130KG



ZW-50-20钨网烧结炉

主要技术参数:

1.额定功率:50KW

2.额定电压:380V

3.Max.温度:2000℃

4.工作区尺寸:Φ140*200

5.极限真空:8*10-4Pa

6.压升率:<3Pa/小时

7.保护气氛:氢气

8.加热区:一区



ZG-80真空熔炼炉

80kg真空熔炼炉ZG-80

主要技术参数:

1.额定功率:160KW

2.额定电压:380V

3.Max.温度:1700℃

4.冷态极限真空:5X10-3Pa

5.保护气氛:Ar



ZT-50-16Y真空热压炉

1.额定功率:50KW

2.额定温度:1600℃

3.工作区尺寸:Ø250×200

4.极限真空度:5X10-2Pa

5.Max.压力:35吨

6.大位移:双向各100mm

7.加压方式:双向

8.充气压力:0.015MPa



SPS-60T-30-Ⅲ烧结炉

主要技术参数:

型号:SPS-60T-30-Ⅲ

1.额定功率:300KW

2.额定电压:380V

3.Max.温度:  2300℃

4.输出电流:30000A

5.输出电压:10V

6.极限真空:5X10-2Pa

7.保护气氛:Ar

8.Max.压力:60T

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